前言
雙面鈣鈦礦太陽(yáng)能電池 (Bi-PSCs) 因其可雙面吸光提高光利用效率而備受關(guān)注。真空沉積法制備的 Bi-PSCs 盡管具有高質(zhì)量薄膜的優(yōu)勢(shì)，但仍需優(yōu)化透明電極和界面層以光電流收集，并平衡頂部和底部照射條件下的性能差異。
西班牙巴倫西亞大學(xué) Henk J. Bolink 團(tuán)隊(duì)在 2024 年發(fā)表于《ACS Energy Letters》(27st Aug.2024_ DOI： 10.1021/acsenergylett.4c01536)的研究中，利用真空沉積技術(shù)制備了高效穩(wěn)定的雙面鈣鈦礦太陽(yáng)能電池 (Bi-PSCs)。通過(guò)優(yōu)化 ITO 和 LiF 層厚度及封裝方法，顯著提升了 Bi-PSCs 的 Jsc 和 PCE。研究發(fā)現(xiàn)，頂部照射下可獲得更高的 Jsc (最高達(dá) 24.98 mA/cm2)，突顯了該器件結(jié)構(gòu)的優(yōu)勢(shì)。此外，該研究還探討了 Bi-PSCs 的熱穩(wěn)定性及封裝的影響。
導(dǎo)讀目錄
1. 前言
2. 研究目的
3. 研究方法
4. 器件與表征
5. 結(jié)論
研究目的
本研究旨在通過(guò)優(yōu)化雙面鈣鈦礦太陽(yáng)能電池 (Bi-PSCs) 的結(jié)構(gòu)和制備工藝，實(shí)現(xiàn)其性能，特別是提高短路電流密度 (Jsc) 和功率轉(zhuǎn)換效率 (PCE)。具體研究目標(biāo)包括：
確定 LiF 和 ITO 層的最佳厚度，以減少反射損失并增強(qiáng)光吸收效率，從而提高器件性能。
比較頂部和底部電極在光線(xiàn)收集效率方面的差異，確定更有效利用光照的電極結(jié)構(gòu)。
研究封裝對(duì) Bi-PSCs 性能的影響，特別是分析其在頂部和底部照射條件下的性能差異。
通過(guò)熱穩(wěn)定性測(cè)試，評(píng)估 Bi-PSCs 在長(zhǎng)期工作條件下的穩(wěn)定性和耐久性，為實(shí)際應(yīng)用提供參考。
最終，本研究將展示熱蒸發(fā)方法在制備微米級(jí)鈣鈦礦薄膜和高性能 Bi-PSCs 方面的有效性。
研究方法
化學(xué)物質(zhì)的采購(gòu)： 研究所需化學(xué)物質(zhì)包括 CS-9、TaTm、FAMAPI（由 PbI2、MAI 和 FAI 共蒸鍍而成）、C60、BCP 等。
雙面真空沉積 Bi-PSCs 的制造： Bi-PSCs 的結(jié)構(gòu)為 LiF/玻璃/底 ITO/CS-9/TaTm/FAMAPI/C60/BCP/ITO/Ag，其中 FAMAPI 層通過(guò) PbI2、MAI 和 FAI 的共蒸鍍制備，并使用 QCM 傳感器監(jiān)控和手動(dòng)調(diào)整蒸發(fā)速率。頂部 ITO 電極則采用脈沖激光沉積方法制備，以確保在電池堆疊上的柔和沉積。
器件與表征
器件制備：
真空沉積技術(shù)： 利用真空沉積技術(shù)制備 Bi-PSCs，并采用熱蒸發(fā)方法沉積鈣鈦礦薄膜，精確控制薄膜厚度。
脈沖激光沉積 (PLD)： 使用 PLD 方法沉積頂部 ITO 電極，以減少對(duì)器件的損傷。
材料選擇： 選用甲胺鎂鉛碘（FAMAPI）作為鈣鈦礦材料，因其具有較高的熱穩(wěn)定性和吸收范圍。
封裝： 使用商業(yè) UV 固化環(huán)氧樹(shù)脂封裝劑進(jìn)行封裝，以保護(hù)器件免受環(huán)境影響。
表征方法：
結(jié)構(gòu)表征：使用 X 射線(xiàn)衍射（XRD）分析 FAMAPI 層的晶體結(jié)構(gòu)。
電性能表征：使用太陽(yáng)能電池測(cè)試系統(tǒng)記錄 J-V 曲線(xiàn)，并使用太陽(yáng)光模擬器進(jìn)行照明。采用 Enlitech 的 QE-R 系統(tǒng)進(jìn)行 EQE 測(cè)量，并校準(zhǔn)太陽(yáng)光譜失配。
圖4說(shuō)明：(a) Bi-PSC裝置結(jié)構(gòu)示意圖：顯示了在使用蓋玻璃封裝后的裝置結(jié)構(gòu)，包括各層材料及其厚度。(b) J-V曲線(xiàn)：顯示了在正向（實(shí)線(xiàn)）和反向（虛線(xiàn)）掃描下，裸露Bi-PSC在頂部和底部照射條件下的電流密度-電壓特性，以及在蓋玻璃封裝后的情況。(c) EQE光譜：對(duì)應(yīng)于不同裝置的外部量子效率光譜，顯示了在不同波長(zhǎng)下的光電轉(zhuǎn)換效率。(d) Jsc值的統(tǒng)計(jì)圖：顯示了不同裝置的短路電流密度（Jsc）值的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，黑色實(shí)線(xiàn)表示各子集的平均值。
為評(píng)估真空沉積器件的熱穩(wěn)定性，超級(jí)基底 PSCs 和 Bi-PSCs 在 85°C 氮?dú)鈿夥障逻M(jìn)行了 600 小時(shí)熱壓力測(cè)試。結(jié)果表明，兩種器件均保持了 80% 以上的初始效率。值得注意的是，Bi-PSCs 的 Jsc 在測(cè)試期間持續(xù)增加，而超級(jí)基底器件的 Jsc 則呈下降趨勢(shì)。兩種器件的 FF 均有所下降，與之前報(bào)道的真空沉積 PSCs 的結(jié)果一致。
光學(xué)表征和模擬：使用分光計(jì)測(cè)量吸收和透射光譜，并使用 Enlitech 的 QE-R 系統(tǒng)進(jìn)行反射率測(cè)量。采用基于轉(zhuǎn)移矩陣方法的吸收率和 1-R 模擬，通過(guò)自建代碼和 tmm 包執(zhí)行。
圖 1d 對(duì)比了 Bi-PSC 在頂部和底部照射下的反射率損失，表明頂部照射在 480-780 nm 范圍內(nèi)具有更低的反射率，從而帶來(lái)更高的 FAMAPI 層光吸收率。模擬結(jié)果顯示，頂部照射下的最高模擬 Jsc 比底部照射高約 1 mA/cm2，因此 Bi-PSC 在頂部照射下有望獲得更高的 Jsc。
在進(jìn)行反射率測(cè)量之前需要校準(zhǔn)系統(tǒng)，對(duì)太陽(yáng)光譜不匹配進(jìn)行修正。使用校準(zhǔn)的硅參考電池來(lái)確保測(cè)量結(jié)果的準(zhǔn)確性。這些步驟對(duì)于獲得準(zhǔn)確的反射率值非常重要，從而評(píng)估太陽(yáng)能電池的光學(xué)性能和光電轉(zhuǎn)換效率。Enlitech的QE-R系統(tǒng)在太陽(yáng)能電池的研究和開(kāi)發(fā)中扮演著關(guān)鍵角色，提供了必要的光學(xué)參數(shù)測(cè)量。
熱穩(wěn)定性測(cè)試：在熱板上對(duì) Bi-PSCs 進(jìn)行熱壓力測(cè)試，以評(píng)估其長(zhǎng)期穩(wěn)定性和耐久性，并記錄其在 85℃ 下的性能穩(wěn)定性。
形貌表征：使用掃描電子顯微鏡（SEM）觀(guān)察薄膜的表面形態(tài)和截面結(jié)構(gòu)。
結(jié)論
展示通過(guò)真空沉積技術(shù)制備的雙面鈣鈦礦太陽(yáng)能電池（Bi-PSCs），這些電池具有優(yōu)化的鈣鈦礦層厚度，特別是使用甲胺鎂鉛碘（FAMAPI）組成。
在頂部照射條件下，Bi-PSCs的短路電流密度（Jsc）高于底部照射條件，且最佳Bi-PSC在頂部照射條件下的功率轉(zhuǎn)換效率（PCE）達(dá)到了19.6%，在底部照射條件下為18.71%，這導(dǎo)致了約0.95的雙面性因子。
通過(guò)使用模擬1-Sun光作為主要照射和白色LED光作為反射（后方）照射的雙面照射條件下，Bi-PSC展示了不同的Jsc值，這取決于反射光的強(qiáng)度。
即使在頂部電極上封裝了蓋玻璃，Bi-PSC在頂部照射條件下的Jsc仍然高于底部照射。
熱穩(wěn)定性測(cè)試顯示，Bi-PSCs和超級(jí)基底太陽(yáng)能電池（superstrate PSCs）在85℃的熱板上持續(xù)超過(guò)600小時(shí)后，仍能保持超過(guò)80%的初始PCE。
研究發(fā)現(xiàn)，在熱壓力測(cè)試下，Bi-PSCs和superstrate PSCs中的PbI2相的量會(huì)增加，這可能影響到太陽(yáng)能電池的穩(wěn)定性和性能。
這項(xiàng)研究展示了熱蒸發(fā)方法在制備微米級(jí)鈣鈦礦薄膜，用于雙面鈣鈦礦太陽(yáng)能電池（Bi-PSCs）應(yīng)用方面的有效性，以及頂部電極在主要AM 1.5 G單面照射條件下產(chǎn)生非常高的短路電流密度（Jsc）值方面的顯著效果。
文獻(xiàn)參考自ACS Energy Letters 27st Aug.2024_ DOI： 10.1021/acsenergylett.4c01536
本文章為Enlitech光焱科技改寫(xiě) 用于科研學(xué)術(shù)分享 如有任何侵權(quán) 請(qǐng)來(lái)信告知
微信掃一掃
微信掃一掃
